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舛岡富士雄
舛岡 富士雄(ますおか ふじお)さんの誕生日は1943年5月8日です。群馬出身の電子工学者のようです。
受賞歴、フラッシュメモリ発明にまつわるエピソードなどについてまとめました。現在、卒業、退社に関する情報もありますね。舛岡富士雄の現在の年齢は81歳のようです。
舛岡 富士雄（ますおか ふじお、1943年5月8日 - ）は、日本の電子工学研究者。フラッシュメモリの発明者として知られており、1980年代にNOR型フラッシュメモリおよびNAND型フラッシュメモリを開発した。1988年には、初期の非平面型3Dトランジスタ（英語版）である初のGate-all-around（英語版）（GAA）MOSFET（GAAFET（英語版））トランジスタも発明している。 元東芝社員。東北大学名誉教授。現在は日本ユニサンティスエレクトロニクス株式会社最高技術責任者（CTO）として、Surrounding Gate Transistor（SGT）の開発を行っている。紫綬褒章、文化功労者、瑞宝重光章。 1943年 群馬県高崎市出身。 1962年 群馬県立高崎高等学校卒。 1966年 東北大学工学部電子工学科卒業。西澤潤一に師事する。同大学大学院工学研究科電子工学専攻修士課程進学。 1968年 同修士課程修了、同博士後期課程進学。 1971年 同博士後期課程修了。工学博士（東北大学甲第1431号、学位論文『半導体インダクタンスに関する研究』）。株式会社東芝に入社。 1980年 NOR型フラッシュメモリを発明。 1986年 NAND型フラッシュメモリを発明。 1994年 同社退社、東北大学大学院情報科学研究科教授。 1996年 東北大学電気通信研究所教授。 2004年 日本ユニサンティスエレクトロニクス株式会社最高技術責任者（CTO）。 受賞歴1980年6月 社団法人発明協会全山允明表彰発明賞 1997年 IEEEモーリス・N・リーブマン記念賞受賞。 2000年 市村産業賞本賞受賞。 2002年 SSDM Award受賞。 2007年4月29日 紫綬褒章受章。 2013年 文化功労者。 2016年 瑞宝重光章受章。 2018年 本田賞受賞 フラッシュメモリ発明にまつわるエピソード東芝に入社後、高性能なメモリを開発したが売れないことに業を煮やした舛岡は、営業職を志願し、アメリカ合衆国のコンピュータ会社を回った。結局全然売る事ができず、1年もたたずに営業職からは外される。しかし、この時に何度も営業先に言われた「性能は最低限でいい。もっと安い製品はないのか」という言葉から、性能の向上ばかり考えず、需要に見合った機能を持つ製品を低コストで作るべきだと悟る。結果、情報を1ビットごとではなく一括消去するという、あえて性能を落としてコストを1⁄4以下にする方法を思いつき、フラッシュメモリが発明されるに至った。 2024/05/25 05:31更新
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masuoka fujio
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