西澤潤一の情報 （にしざわじゅんいち）
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冨田勲: はとこに、元東北大学総長で半導体素子の研究者の西澤潤一がいる。

飯島宗一: 『今、この国を救うもの 教育改革』西澤潤一共監修、日本の教育改革を進める会編、善本社、2002年12月

大森兵蔵: ^ 上田正昭・西澤潤一・平山郁夫・三浦朱門 監修 『講談社 日本人名大事典』 講談社、2001年12月6日第1刷発行、ISBN 4-06-210800-3、384頁。

大久保謙: ^ 「 背筋を伸ばせ日本人[著西澤潤一 - 犬耳書店」]

八木秀次: 直接の弟子でなく面識もない江崎玲於奈、西澤潤一を学士院賞に推薦した。

伊賀健一: 西澤潤一、赤﨑勇に続き日本人として3人目となった。

喜安善市: 西澤潤一 著、喜安善市 編『オプトエレクトロニクス』共立出版、1977年。

舛岡富士雄: 西澤潤一に師事する。

林屋亀次郎: 上田正昭 平山郁夫 西澤潤一 三浦朱門『講談社 日本人名大辞典』講談社、2001年12月6日。

西澤 潤一（にしざわ じゅんいち、1926年9月12日 - 2018年10月21日）は、日本の工学者。東北大学名誉教授。日本学士院会員。 専門は電子工学・通信工学で、半導体デバイス、半導体プロセス、光通信の開発で独創的な業績を挙げた。半導体関連の特許保有件数は世界最多である。

東北大学総長、岩手県立大学学長、首都大学東京学長、上智大学特任教授を歴任。

宮城県仙台市出身。西澤恭助（東北帝国大学教授）の第二子、長男として生まれる。西澤泰二（東北大学名誉教授）は弟。

1945年4月、内申書だけで東北帝国大学工学部電気工学科に入学した。西澤の本心は理学部へ行って原子核の研究か数学基礎論を希望していたが、父親から許されなかった。父恭助は1995年に103歳で亡くなるまで西澤を子供扱いし、言う事は絶対だったという。

卒業研究で研究室を選ぶ時、父親の恭助(工学部化学工学科教授)から電気工学科教授の抜山平一に相談がなされた。抜山は渡辺寧の研究室を推薦し、西澤はそれに従った。この事が西澤が半導体固体素子の研究の道に進むきっかけとなった。

渡辺寧に師事。渡辺は当時国内の電子工学研究の指導的立場にあり、米軍関係者との接触により米国での半導体研究の情報、ベル研究所での点接触型トランジスタの発明(1947年)の報を国内でいち早く入手する事ができた。西澤が研究者としての歩みを始めた時期は、ちょうど渡辺が半導体の研究を開始した時期と一致する。

工学部卒業後、当時存在した制度である大学院特別研究生に採用される。この時期の1950年に西澤独自のpin接合構造を考案し、半導体デバイスとしてpinダイオード、静電誘導トランジスタ、pnipトランジスタを発明する。また半導体プロセスとして重要なイオン注入法も発明している。

新規の学説を発表した西澤であったが、学界では定説とは異なっているとして攻撃を受けた。渡辺はこの状況に配慮し、西澤の書き上げた論文を渡辺が預かり対外発表を控える時期がしばらく続いた。

大学院特別研究生を修了後、東北大学電気通信研究所に任用される。以後定年退官まで同所で研究開発と教育に従事する。

西澤、渡辺らの持つpinダイオード等の特許権を元に財団法人半導体研究振興会(1961年 - 2008年)を設立。産業界からの寄付を得つつ、事業として半導体研究所を設立した(1963年)。大学の外部でも西澤が主導して研究が進められた。

西澤の指導した学生にフラッシュメモリー発明者の舛岡富士雄、MEMS研究者の江刺正喜、メモリ研究の小柳光正らがいる。西澤の研究室に所属した教員として半導体プロセスとクリーンルーム研究の大見忠弘がいる。

また、愛弟子の一人に、スタンフォード大学教授の中村維男がいる。 彼の主たる研究内容の一つは、今日まで、特に米国スタンフォード大学にて、Professor Michael J. Flynnと共に、現存のコンピュータの低消費電力下での処理速度増強のための、マーチングメモリ（記憶情報超高速内部移動形メモリ）の研究に従事し、成果として数多くの国での特許、計２９件を取得。他方、２０２０年、現存のコンピュータのプログラムでの稼働が可能となる“世界初の量子コンピュータの設計理論”の確立を完成。この研究から派生して、ハイゼンベルクの不確定性原理に対する疑問を投げかける理論的考察結果を示し、今後の物理学の在り方を示唆した。全ての研究を通しての、査読付き論文数３４６編。代表著書としては、英国物理学会（Institute of Physics）から出版の、”Simplified Quantum Computing with Applications”が挙げられる。

＊ 西澤潤一研究室ではないが、外様の弟子としてシンラタービン(Shinla Turbine)発明者の齋藤武雄がいる。

日本学士院賞受賞に当たって直接の面識や指導を受けた事のない八木秀次の推薦を受けている。

東北大学を退官後は東北大学、岩手県立大学、首都大学東京で学長を歴任し、大学経営に従事する。

2018年10月21日、仙台市で死去。92歳没。

業績

半導体電子工学分野で独自の半導体から絶縁体へのホットエレクトロン注入理論を考案し、それに基づいてpn接合に絶縁体(i:insulator)層を挟んだpin構造を持つ電子デバイスであるpinダイオード、静電誘導トランジスタ、静電誘導サイリスタ等を発明する。

半導体への不純物導入手法としてイオン注入法を発明。半導体の結晶成長においてエピタキシャル成長の各種手法を開発した。またこれらに使用する製造装置に関する技術でも特許を多数取得している。

半導体の結晶成長技術の成果として高輝度発光ダイオード(赤色、緑色)を開発した。

光通信の3要素である発光素子、伝送路、受光素子を開発する。

2002年、米国電気電子学会（IEEE）は、西澤の名を冠した「ジュンイチ・ニシザワ・メダル（Jun-ichi Nishizawa Medal）」を電気事業連合会の後援によって設立し、電子デバイスとその材料科学の分野で顕著な貢献をした個人・団体を顕彰している。

主な業績として次のものが挙げられる。

半導体から絶縁体へのホットエレクトロン注入理論(1950)

PINダイオードの開発(1950)

イオン注入法の開発(1950)

静電誘導型トランジスタの開発(1950)

pnipトランジスタ(1950)

電子なだれ電流増幅トランジスタ開発(1951)

化学量論的組成制御法の開発(1951)

半導体中のなだれ現象の発見(1952)

アバランシェフォトダイオードの開発(1952)

pinフォトダイオード(1953)

pnipドリフトトランジスタ(1954)

走行時間負性抵抗トランジスタ(1954)

エレクトロエピタキシの発明(1954)

半導体レーザーの発明(1957)（1957年 日本国特許出願）・開発

レーザーディスクの原理(1957)

半導体インダクタンスの発明(1957)

タンネットダイオード(1958)

可変容量ダイオード(1959)

フォトカプラ(1960)

温度差法によるシリコンのエピタキシャル成長(1963)

分子振動、格子振動（フォノン）を利用したテラヘルツ波発生の提案（1963年）

集束型光ファイバー(GI型光ファイバー)の開発(1964)

FETの飽和特性解明(1968)

静電誘導サイリスタの開発(1971)

MOSSITの提案(1971)

GaAs(ガリウム砒素)の蒸気圧液相成長法(1971)

蒸気圧制御温度差液相成長法の発明(1972)

バリスティックトランジスタ(1973)

ストイキオメトリ制御された結晶成長法(1973)

高輝度赤色発光ダイオード(GaAlAs)(1976)

高輝度緑色発光ダイオード(GaP)(1976)

光サイリスタ(光トリガサイリスタ)(1984)

光励起エピタキシャル成長法(1984)

静電誘導トランジスタ－集積回路(1984)

光励起分子層エピタキシャル成長法(PMLE)(1984)

両面ゲート静電誘導サイリスタ

GaAs完全結晶成長法

テラヘルツ波による癌診断、がん治療の提案（2000年）

受賞歴

1965年10月19日、科学技術庁長官奨励賞「不純物不均一半導体」

1966年4月22日、恩賜発明賞「不純物不均一半導体」

1969年12月1日、松永賞「半導体デバイスの研究」

1970年11月2日、科学技術庁長官奨励賞「半導体メーサー」

1971年4月13日、大河内記念技術賞「合金拡散法によるシリコン可変容量ダイオードの開発」

1974年6月10日、日本学士院賞「半導体及びトランジスタの研究」

1975年4月15日、科学技術功労賞「静電誘導電界効果トランジスタの開発」

1975年5月10日、電子通信学会業績賞「新しい三極管特性を有する高性能トランジスタ」

1975年10月1日、東北地方発明賞宮城県支部長賞「位置の制御装置」

1980年3月10日、大河内記念技術賞「高輝度発光ダイオードの連続成長技術の開発について」

1980年10月3日、特許庁長官奨励賞「連続液相成長による半導体デバイスの製造方法及び製造装置」

1982年7月7日、井上春成賞「高輝度発光ダイオードの連続製造技術」

1983年12月6日、IEEEジャック・A・モートン賞「SIT(静電誘導トランジスタ)の開発と光通信の基本3要素」

1984年、朝日賞「光通信と半導体の研究」

1986年、本田賞、「pinダイオード、静電誘導トランジスタなどを発明したほか光通信技術の応用発展に寄与」

1989年、IOCG(国際結晶成長機構)ローディス賞

1996年、大川賞、「材料科学の独創的研究と半導体工学の発展および光通信の先駆的業績と多大な貢献」

2000年、IEEE エジソンメダル